通过紫外-可见漫反射光谱可以方便的获得半导体材料的吸收带边，而材料制备工艺对于其吸收带边有明显的影响。水热合成的Bi₂WO₆纳米片与固态合成的Bi₂WO₆样品的紫外－可见漫反射吸收光谱如图12-3所示^[1]。由图可见，样品都有明显的吸收带边，其吸收带边位置可以由吸收带边上升的拐点来确定，而拐点则通过其导数谱来确定，相应地可以计算出其光吸收阈值的大小，从而也可以确定其禁带宽度。当入射光的光子能量高于半导体的带宽时，将导致本征跃迁。通常在吸收边附近，吸收系数α同入射光子能量E的关系为：

                            （12.4）

式中，指数n为2时，表示为间接跃迁形式；指数为1/2时，表示为直接跃迁形式。Bi₂WO₆纳米片的吸收边要小于固态合成Bi₂WO₆的吸收边，这种蓝移趋势可以从量子尺寸效应加以解释。一般认为当纳米材料的粒径小于10 nm时才表现出显著的量子尺寸效应，且粒径越小，其带隙越宽，量子尺寸效应越明显。

图 12-3 Bi₂WO₆纳米片与固态合成的Bi₂WO₆样品的紫外－可见漫反射吸收光谱

图12-4给出了不同C₆₀修饰量的ZnO/C₆₀的紫外－可见漫反射光谱。对ZnO粉体来说，只在400 nm以下出现吸收峰，这与ZnO的带隙宽度是一致的。对C₆₀修饰后的ZnO样品，则从200～750 nm均有吸收。从图中可以看出，C₆₀吸附在ZnO表面后，催化剂在400～750 nm范围内出现了宽的吸收带。随着C₆₀负载量的增加，400～750 nm范围内的吸收逐渐增强，在C₆₀负载量为2 %时为最大，2.5 %时吸收值有所下降，如图12-4内嵌图所示。负载量从0到2 %吸光度的线性增加表明C₆₀在TiO₂表面可能形成单分子层化学吸附；当负载量超过2 %，单层吸附达到饱和，C₆₀趋向于在TiO₂表面聚集成簇，此时的吸光度有所下降。C₆₀的分子直径是0.71 nm，ZnO的比表面积是57.3 m² g^-1，理论估算表明当C₆₀的负载量约为11 %时，在ZnO粒子表面能形成致密的单分子层覆盖，考虑到C₆₀仅能占据ZnO表面的活性位点以及C₆₀分子间斥力，认为形成致密单分子层所需的C₆₀的量要远小于11 %。综合紫外－可见漫反射结果，当负载量为2 %时，C₆₀在ZnO颗粒表面形成了相对致密的单分子层，负载量为2.5 %时，可能由于C₆₀分子间发生聚集导致吸光度下降，C₆₀的修饰并没有影响到ZnO在紫外区的吸收。因此，ZnO/C₆₀的紫外区吸收由ZnO造成，可见光区的吸收由C₆₀导致。在可见光区域有吸收，使该催化剂利用可见光成为可能。催化活性表征也表明负载C₆₀量为1.5 %的ZnO的活性最高，C₆₀负载量的进一步增加反而降低了负载ZnO的光催化活性。^[2]

图12-4经不同含量C₆₀修饰后ZnO/C₆₀催化剂的紫外－可见漫反射光谱